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J-GLOBAL ID：200903012139721865

炭素膜の製造装置およびその製造方法

Inventor：
羽場 方紀

About 羽場 方紀


Applicant, Patent owner：
ダイヤライトジャパン株式会社

About ダイヤライトジャパン株式会社


Agent (1)： 岡田 和秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005088813
Publication number (International publication number)：2005307352
Application date： Mar. 25, 2005
Publication date： Nov. 04, 2005
Summary：
【課題】 低いガス圧力および低い電力で効率的に炭素膜を成膜できるようにするとともに、大きな基材、特に長尺な基材に対して、効率的に炭素膜を成膜できるようにする。【解決手段】 真空チャンバー10内に設けられるとともに、高周波電源12に接続されるプラズマ発生用コイル11を備え、真空チャンバー10内に原料ガスを導入しながらプラズマ発生用コイル11内にプラズマ15を発生させ、該プラズマ発生用コイル11内に配置された基材としての線材13に、炭素膜を成膜するようにしている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
真空チャンバー内に設けられるとともに、高周波電源に接続されるプラズマ発生用コイルを備え、前記真空チャンバー内に原料ガスを導入しながら前記プラズマ発生用コイル内にプラズマを発生させ、該プラズマ発生用コイル内に配置された基材に、炭素膜を成膜することを特徴とする炭素膜の製造装置。
IPC (4)：
C23C16/26 ,  B05D3/06 ,  C01B31/02 ,  C23C16/505
FI (4)：
C23C16/26 ,  B05D3/06 Z ,  C01B31/02 101F ,  C23C16/505
F-Term (24)：
4D075BB56Y ,  4D075BB57Y ,  4D075BB93Y ,  4D075EB01 ,  4G146AA01 ,  4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146AB07 ,  4G146AD29 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC38A ,  4G146BC38B ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030BB01 ,  4K030CA02 ,  4K030CA13 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030KA30
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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