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J-GLOBAL ID：200903012167930976
センサの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996135395
Publication number (International publication number)：1997318474
Application date： May. 29, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：
【要約】【課題】製造工程が簡易で小型化することができるセンサの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】シリコン基板11上に形成された検知部となるN型シリコン層4とP型シリコン層3とが、電気化学エッチングによってダイアフラム6となる部分のP型シリコン層3が除去されて凹部15が形成される。その検知部を挟んで台座2とシリコン基板11とが接合され、凹部15が圧力基準室5とされる。そして、シリコン基板11が除去されてN型シリコン層4がダイアフラム6とされ、ダイアフラム6に拡散歪みゲージ7が形成されて圧力センサ1が製造される。
Claim (excerpt)：
台座(2,22)上に目的とする物理量を検知するための検知部を形成したセンサの製造方法であって、シリコン基板(11,31)上に形成されたN型シリコン層(4,25)とP型シリコン層(3,24)とを電気化学エッチングによってP型シリコン層(3,24)の所定位置を除去して検知部を形成する工程と、前記検知部を挟んで台座(2,22)とシリコン基板(11,31)とを接合する工程と、前記シリコン基板(11,31)を除去する工程と、前記検知部を構成するN型シリコン層(4,25)に歪みゲージ(7,28)を形成する工程とからなるセンサの製造方法。
IPC (3)：
G01L 9/04 101
, G01P 15/12
, H01L 29/84
G01L 9/04 101
, G01P 15/12
, H01L 29/84 B
