Pat

J-GLOBAL ID：200903012172362587

プラズマ処理装置

Inventor： 広瀬 圭三 ,  永関 一也
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 金本 哲男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994308310
Publication number (International publication number)：1996148295
Application date： Nov. 17, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高微細なプラズマ処理加工を実施する上において、比較的簡素な平行平板形式の装置構成を採りつつプラズマの拡散を抑えて、プラズマ密度および所定密度のプラズマを得るための電力の向上を図り、処理容器内にある部材へのデポの付着を防止する。【構成】 サセプタ5上のウエハWよりも下方でかつ処理容器2に設けた排気口41よりも上方に、処理容器2内壁と同電位でかつ多数の透孔を形成した、プラズマ漏出防止体51を設置し、サセプタ5周囲空間の上方を覆う。前記透孔の大きさは、プラズマを通過させない大きさとする。【効果】 処理容器2内のプラズマは、プラズマ漏出防止体51よりも下方に拡散しないので、その分プラズマ密度が向上し、排気口41にデポが付着することもない。

Claim (excerpt)：

処理容器に設けた排気口から処理容器内が減圧自在であって、かつ前記処理容器内に上下平行に対向して設けられた上部電極と下部電極との、少なくとも一方の電極に高周波電力を印加して前記処理容器内にプラズマを発生させて、前記下部電極上の被処理体に対し前記プラズマ雰囲気の下で処理を施す如く構成されたプラズマ処理装置において、前記被処理体よりも下方でかつ前記排気口よりも上方に位置して下部電極周囲空間の上方を覆うプラズマ漏出防止体を有し、このプラズマ漏出防止体は処理容器内壁と導通して当該処理容器内壁と同電位であって、かつ多数のガス流通開口を具備してなり、さらに当該ガス流通開口はプラズマを通過させない大きさを有していることを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (3)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-260799
  
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-021257   Applicant：国際電気株式会社
• プラズマ反応器の可変DCバイアス制御
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-327225   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド