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J-GLOBAL ID:200903091471509583

プラズマ処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石戸 元
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994021257
Publication number (International publication number):1995230899
Application date: Feb. 18, 1994
Publication date: Aug. 29, 1995
Summary:
【要約】【目的】 絶縁性能,処理性能等の性能を高め、パーティクル増大を抑制し、装置の清掃に時間を要せず、稼働率を高める。【構成】 高周波電力が供給されるカソード2と真空容器1との間の絶縁を、複数の空隙層9と空隙層9を作る遮蔽板8で構成し、反応ガスをカソード2表面のガス吹出し取付板19と外側ガス貫通金具21との隙間33から吹出すか又は反応ガスを内側ガス貫通金具20とガスシール板18の穴との隙間を通り内,外側貫通金具20,21との隙間から吹出すと共に希釈ガスをガスシール板18とガス吹出し取付板19の間を通り、ガス吹出し取付板19と外側ガス貫通金具21との隙間から吹出し、クリーニング時は反応ガス系路に希釈ガスを,希釈ガス系路にクリーニングガスを流し、被処理物13周辺の排気速度を速くし、真空容器壁側の排気速度を遅く、プラズマ発生部26の容積よりも非プラズマ発生部27の容積を大きくし、排気口12の上にガスの流れを邪魔する邪魔板25を設ける。
Claim (excerpt):
電極を内蔵した真空容器内に反応ガスを流し、真空容器内を被処理物を処理する圧力に保つように真空排気を行いながら、電極に高周波電力を供給して真空容器内にプラズマを発生させ、そのプラズマを利用して被処理物を処理する装置において、高周波電力が供給される電極と真空容器との間の絶縁を複数の空隙層と空隙層をつくる遮蔽板で構成することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4):
H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-001668   Applicant:日新電機株式会社

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