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J-GLOBAL ID：200903012220743814

位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法

Inventor： 悳 昭彦 ,  小林 良一 ,  吉岡 信行 ,  宮崎 順二 ,  渡壁 弥一郎
Applicant, Patent owner： アルバック成膜株式会社 ,  三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993285327
Publication number (International publication number)：1995140635
Application date： Nov. 15, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】 位相シフトマスクの製造時のプロセスの低減を図り、高品質の位相シフトマスクおよびその製造方法を提供し、かつ、その位相シフトマスクを用いた露光方法を提供する。【構成】 位相シフトマスク200の第2の光透過部4が、位相差が180°となり透過率が5〜40%を有するモリブデンシリサイド酸化窒化物またはモリブデンシリサイド酸化物4から構成されている。また、この第2の光透過部4の製造工程においては、スパッタリング法を用いて、モリブデンシリサイド酸化窒化膜またはモリブデンシリサイド酸化膜を形成している。これにより、従来のスパッタリング装置を用いて、第2の光透過部を形成し、また、位相シフタ部のエッチング工程も1回となるために、製造工程における欠陥および誤差も生じる確率を低下させることが可能となる。

Claim (excerpt)：

露光光を透過する基板と、この基板の主表面上に形成された位相シフトパターンと、を備え、前記位相シフトパターンは、前記基板が露出する第1の光透過部と、透過する露光光の位相と透過率とが、前記第1の光透過部を透過する露光光の位相に対して180°変換し、かつ、透過率が5〜40%であり、単一の材料からなる第2の光透過部と、を有する位相シフトマスク。

IPC (4)：

G03F 1/08 ,  G03F 1/14 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (3)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528 ,  H01L 21/302 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 露光用マスク、露光用マスクの製造方法及びこの露光用マスクを用いた露光方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-327623   Applicant：株式会社東芝