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J-GLOBAL ID：200903076651027936
露光用マスク、露光用マスクの製造方法及びこの露光用マスクを用いた露光方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992327623
Publication number (International publication number)：1994075361
Application date： Nov. 13, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 単層半透明膜を用いた位相シフトマスクに関し、膜質を屈折率と消衰係数により定義。また、パターン領域周囲に遮光膜を持つことを含む。更にマスク作成プロセスに応じマスクに要求される寸法変換差の与え方を変化させることを含むマスク製造方法とこの手法により作成したマスクを提供する。【構成】 クオーツ基板上に屈折率および消衰係数が所望の条件を満たす半透明膜をスパッタにより形成した。この基板に電子線ネガレジストを塗布し更に導電性樹脂膜を形成し、電子線により描画を行い現像することでレジストパターンを形成した。次いでレジストパターンをマスクとしてCF4 瓦斯によるケミカルイオンエッチングを行い露出している半透明膜を除去した。更に硫酸と過酸化水素水の混合液によりレジストを除去することで所望の半透明膜マスクを形成することができた。
Claim (excerpt)：
透光性基板と、前記透光性基板上に配設されたマスクパターンとを具備したマスクに於いて、前記マスクパターンとして、露光光に対する光路長が前記透光性基板の透明部分とは所定量だけ異なるように構成されたシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素のうち少なくとも一種類からなる半透明膜パターンを含むことを特徴とする露光用マスク。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
Cited by applicant (6)
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