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J-GLOBAL ID：200903012254890930
SiC紫外線検出器
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993232877
Publication number (International publication number)：1995094773
Application date： Sep. 20, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：
【要約】【目的】 300nm以下の短波長に対しても良好に応答し、リーク電流が少なくて感度が高いSiC紫外線検出器を提供する。【構成】 p型α-SiC基板(10)と、基板(10)上に形成されたp型SiCエピタキシャル層(11)と、p型SiCエピタキシャル層(11)上に形成されたn+ 型SiCエピタキシャル層(12)と、基板(10)にオーミック接触する電極(15)と、n+ 型SiCエピタキシャル層(12)にオーミック接触する電極(13)とを有する。
Claim (excerpt)：
第1導電型のα-SiC基板と、該基板上に形成された第1導電型のSiC層と、該SiC層上に形成された第2導電型の高濃度SiC層と、前記第1導電型の基板にオーミック接触する電極と、前記第2導電型の高濃度SiC層にオーミック接触する電極とを具備したことを特徴とするSiC紫外線検出器。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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