Pat
J-GLOBAL ID:200903012335277671

同軸型真空アーク蒸着源を用いた蒸着装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石島 茂男 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998172322
Publication number (International publication number):2000008157
Application date: Jun. 19, 1998
Publication date: Jan. 11, 2000
Summary:
【要約】【課題】同軸型真空アーク蒸着源を用いた蒸着装置において、放出された荷電微小粒子を処理対象物に対して効率良く付着させて均一な厚さの膜を形成する。【解決手段】本発明の蒸着装置1は、基板4される真空処理槽10を有し、この真空処理槽10内に、アノード電極40と蒸着材料43との間に電圧を印加した状態でトリガ電極42と蒸着材料43との間にトリガ放電を発生させてアノード電極40と蒸着材料43との間にアーク放電を誘起させて蒸着材料43を蒸発させる蒸着源3を有している。蒸着源3と基板4との間に、蒸着源4から放出された荷電粒子51の飛行方向を偏向させる偏向手段60が設けられている。
Claim (excerpt):
処理対象物が配置される真空処理槽と、該真空処理槽内に配設され、アノード電極と蒸着材料との間に電圧を印加した状態でトリガ電極と前記蒸着材料との間にトリガ放電を発生させて前記アノード電極と前記蒸着材料との間にアーク放電を誘起させて前記蒸着材料を蒸発させる蒸着源と、該蒸着源から放出された荷電粒子の飛行方向を偏向させる偏向手段とを備えたことを特徴とする蒸着装置。
F-Term (4):
4K029CA01 ,  4K029DB08 ,  4K029DB17 ,  4K029EA07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
  • 特開平4-045262
  • 特開平2-232364
  • 薄膜形成装置および薄膜形成方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-347430   Applicant:工業技術院長
Show all

Return to Previous Page