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J-GLOBAL ID：200903012378494200

半導体チップ解析用プローバ及び半導体チップ解析装置

Inventor：
北畑 秀樹

About 北畑 秀樹


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999258328
Publication number (International publication number)：2001083208
Application date： Sep. 13, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】 半導体チップの光検出を用いた半導体装置評価解析において、表面解析と裏面解析の両方をより低コストかつ短TATにて行い得るようにする。【解決手段】 解析用プローバ10は、半導体ウェハと同等の大きさを持つボード1と、ボード1の開口部に設けられた石英板2と、ボード1上に設けられたマニピュレータ5を有する。プロービングの際のプローブ6からの圧力を利用し、半導体チップ4を石英板2上に押しつけて固定する。表面解析時には、解析用プローバ10を通常用いられているウェハ解析装置のウェハステージ12上に(a)に示すように搭載し、プローブ6にて電気的入力を行いつつ光学系11を利用して解析を行う。裏面解析時には、着脱可能板7を取り付けた上で(b)に示すように解析用プローバ10を裏返しにしてウェハステージ12上に搭載し、プローブ6にて電気的入力を行いつつ光学系11を利用して解析を行う。
Claim (excerpt)：
半導体チップが搭載されるチップステージと、前記半導体チップの表面側より該半導体チップに接触する複数のプローブと、を備えた半導体チップ解析用プローバであって、前記チップステージの少なくとも半導体チップと接触する部分は赤外線透過板によって構成され、かつ、前記半導体チップは前記プローブのプロービング時の圧力により前記チップステージ上に押しつけられて前記チップステージ上に固定されることを特徴とする半導体チップ解析用プローバ。
IPC (2)：
G01R 31/26 ,  G01N 21/95
FI (2)：
G01R 31/26 J ,  G01N 21/95 Z
F-Term (15)：
2G003AA07 ,  2G003AA10 ,  2G003AB01 ,  2G003AD05 ,  2G003AG03 ,  2G003AG13 ,  2G003AG16 ,  2G003AH04 ,  2G051AA65 ,  2G051AA73 ,  2G051AB02 ,  2G051BA06 ,  2G051CA04 ,  2G051CB02 ,  2G051DA08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • レーザ顕微鏡
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-042259   Applicant：日本電子株式会社, 日本電子ライオソニック株式会社
  • 特開平4-330753
  • 特開平3-169038
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