炭化珪素の成長法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：池内寛幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996234500
Publication number (International publication number)：1998081599
Application date： Sep. 04, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】炭化珪素を成長させる基板に堆積物、段差、溝を設けたり、表面改質を施したりすることにより、炭化珪素堆積基板の内部応力を低減して基板の反りを緩和し、無作為なクラックの発生を抑制できる炭化珪素の成長法を提供する。【解決手段】基板11上には格子状の珪素から成る堆積物12を設け、堆積物12を具備した基板13上に炭化珪素14を成長させて、堆積物12の影響による炭化珪素14の凸部18を形成し、内部応力を低減させ、基板の反りを緩和する。

Claim (excerpt)：

基板表面に炭化珪素膜を成長させる方法であって、基板の少なくとも一部に無機堆積物を具備した基板を用いることを特徴とする炭化珪素の成長法。

IPC (5)：

C30B 29/36 , C01B 31/36 , C23C 14/48 , C23C 16/32 , C23C 16/42

FI (5)：

C30B 29/36 A , C01B 31/36 A , C23C 14/48 Z , C23C 16/32 , C23C 16/42

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

単結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-199417 Applicant：松下電器産業株式会社
特開昭63-270398
特開昭63-319294

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Cited by examiner (5)

単結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-199417 Applicant：松下電器産業株式会社
特開昭63-270398
特開昭63-319294

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