炭化珪素膜及びその形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：塩澤寿夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996069610
Publication number (International publication number)：1997255495
Application date： Mar. 26, 1996
Publication date： Sep. 30, 1997
Summary：

【要約】【課題】膜中に実質的に欠陥を有さず、電気的特性の制御が容易にできる結晶性および表面モホロジーに優れた炭化珪素膜及び炭化珪素膜付き基板並びにそれらの製造方法の提供。【解決手段】表面の中心線粗さ(Ra)が10nm以下、好ましくは0.5〜3nmの範囲である表面粗さを有する炭化珪素膜。表面のヒロック密度が200個/cm2 以下、好ましくは0〜100個/cm2 の範囲である炭化珪素膜。炭化珪素膜を有する基板であって、前記炭化珪素膜が前記特性を有する炭化珪素膜である炭化珪素膜付き基板。形状的欠陥又は結晶格子欠陥等の欠陥を有する基体上に炭化珪素膜を析出させる炭化珪素膜の製造方法。

Claim (excerpt)：

表面の中心線平均粗さ(Ra)が10nm以下である表面粗さを有することを特徴とする炭化珪素膜。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭63-319294
特開昭51-108772
炭化ケイ素膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-264755 Applicant：ホーヤ株式会社

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