炭素膜形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007209209
Publication number (International publication number)：2009041085
Application date： Aug. 10, 2007
Publication date： Feb. 26, 2009
Summary：

【課題】簡便な方法で、微粉の発生を抑制し、基材との密着性、表面平滑性、耐擦過性、低摩擦特性を備えた高品質の炭素膜を形成する炭素膜形成方法を提供する。【解決手段】大気圧または大気圧近傍の圧力下で、プラズマ放電を用いて基材上に炭素膜を形成する炭素膜形成方法において、放電ガスを放電空間に導入して励起する工程と、該励起した放電ガスと炭素を含有する原料ガスとを、放電空間外の基材近傍で混合させて二次励起ガスとする工程と、該二次励起ガスに基材を晒すことにより、該基材上に炭素膜を形成する薄膜形成工程1と、該薄膜形成工程1により形成された該炭素膜を励起ガスに晒す工程2とを有することを特徴とする炭素膜形成方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

大気圧または大気圧近傍の圧力下で、プラズマ放電を用いて基材上に炭素膜を形成する炭素膜形成方法において、放電ガスを放電空間に導入して励起する工程と、該励起した放電ガスと炭素を含有する原料ガスとを、放電空間外の基材近傍で混合させて二次励起ガスとする工程と、該二次励起ガスに基材を晒すことにより、該基材上に炭素膜を形成する薄膜形成工程1と、該薄膜形成工程1により形成された該炭素膜を励起ガスに晒す工程2とを有することを特徴とする炭素膜形成方法。

IPC (2)：

C23C 16/56 , C23C 16/26

FI (2)：

C23C16/56 , C23C16/26

F-Term (9)：

4K030AA09 , 4K030AA16 , 4K030AA18 , 4K030BA27 , 4K030CA07 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030FA01 , 4K030JA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

赤外線用光路の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-100482 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-342973 Applicant：昭和電工株式会社, 昭和アルミニウム缶株式会社
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