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J-GLOBAL ID：200903012483499896

配線形成方法

Inventor：
辰巳 哲也

About 辰巳 哲也


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995121227
Publication number (International publication number)：1996316207
Application date： May. 19, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：
【要約】【目的】 高融点金属シリサイド層を、酸化シリコン系材料層パターンをマスクに、Cl2 /O2 混合ガスを用いてプラズマエッチングする際のエッチング形状の制御性を向上する。【構成】 第1の発明では、高融点金属シリサイド層4上に接して多結晶シリコン等のシリコン系緩衝層5を形成しておく。第2の発明では、酸化シリコン系材料層パターン7上に接して有機材料層を配してプラズマエッチングする。【効果】 第1の発明では、高融点金属シリサイド層4上に自然酸化膜が形成されないので、ブレークスルーステップに伴って発生する低蒸気圧の反応生成物が過度に堆積しない。第2の発明では、有機材料層から供給される炭素成分によって、高融点金属シリサイド層上の自然酸化膜6は特段のブレークスルーステップを用いなくてもスムーズに除去される。いずれの方法においても、高融点金属シリサイド層4パターンに過度のテーパや寸法変換差が発生することがない。
Claim (excerpt)：
高融点金属シリサイド層上に選択的に形成された酸化シリコン系材料層パターンをエッチングマスクとするとともに、前記高融点金属シリサイド層を、フッ素系化学種以外のハロゲン系化学種を発生しうるガスと、酸素系化学種を発生しうるガスを含む混合ガスを用いてプラズマエッチングする工程を有する配線形成方法であって、前記高融点金属シリサイド層上に接して、シリコン系緩衝層を設け、前記シリコン系緩衝層上に前記酸化シリコン系材料層パターンを形成してプラズマエッチングすることを特徴とする、配線形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213
FI (2)：
H01L 21/302 J ,  H01L 21/88 D
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • ドライエッチング方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-151957   Applicant：ソニー株式会社
  • 特開平4-105321
  • 特開平4-334023
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Cited by examiner (4)
  • ドライエッチング方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-151957   Applicant：ソニー株式会社
  • 特開平4-105321
  • 特開平4-334023
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