Pat
J-GLOBAL ID：200903012512474644

半導体発光素子と半導体発光装置及び半導体発光素子の変調方法

Inventor：
鈴木 信夫

About 鈴木 信夫


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000401628
Publication number (International publication number)：2002204039
Application date： Dec. 28, 2000
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：
【要約】【課題】 数GHzから数十GHz(ミリ波帯)の高速変調が可能な半導体光源として用いることを可能にする。【解決手段】 高速変調可能な半導体発光素子において、発光層とすべきInGaAsP井戸層2とこの井戸層2よりも禁制帯幅の広いInGaAsP障壁層3からなる第1の量子井戸層4と、二つのInGaAs井戸層5とその間に形成された薄い歪AlAs中間障壁層6がAlAsSb障壁層7に挟まれてなる第2の量子井戸層8とが、交互に積層されて発光領域1が構成される。さらに、発光領域1の下部にはn型InGaAsP光導波層9が、上部にはp型InGaAsP光導波層10が積層される。そして、第2の量子井戸層8は第1の量子井戸層4における発光波長とは異なるサブバンド間吸収波長を有しており、このサブバンド間吸収波長帯域内の変調信号光を注入することにより発光光を変調する。
Claim (excerpt)：
発光層とすべき第1の半導体層を有する発光領域と、この発光領域を挟んで形成された第1の半導体層よりも禁制帯幅の広い第2及び第3の半導体層と、第1の半導体層に電子と正孔を電気的に注入して発光させる手段とを具備した半導体発光素子であって、第1の半導体層の近傍に少なくとも第4の半導体層と該第4の半導体層よりも禁制帯幅の狭い第5の半導体層からなる量子井戸層が形成されており、該量子井戸層は第1の半導体層における発光波長とは異なるサブバンド間吸収波長を有していることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (3)：
H01S 5/50 630 ,  G02F 1/017 506 ,  H01S 5/343
FI (3)：
H01S 5/50 630 ,  G02F 1/017 506 ,  H01S 5/343
F-Term (25)：
2H079AA08 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079CA04 ,  2H079EA07 ,  2H079HA12 ,  2H079KA18 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AB21 ,  5F073AB25 ,  5F073AB28 ,  5F073AB30 ,  5F073BA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CA12 ,  5F073CA14 ,  5F073EA14 ,  5F073FA25 ,  5F073GA02 ,  5F073GA12 ,  5F073GA13 ,  5F073GA14 ,  5F073GA23
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平4-136823
  • 特開平4-120784
  • 特開平2-210332
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM