Pat
J-GLOBAL ID：200903042533472451
導波型光半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996031534
Publication number (International publication number)：1997222619
Application date： Feb. 20, 1996
Publication date： Aug. 26, 1997
Summary：
【要約】【課題】 大きな非線形性をもち、波長帯域が広く、高速で、高効率で、偏波依存性も小さな導波型光半導体装置を提供すること。【解決手段】 組成、厚さが少しづつ異なる井戸層を積層した歪多重量子井戸層12のTEモードとTMモードのサブバンド間吸収の共鳴波長が、活性層4のキャリア注入手段による誘導放出利の得帯域内にあり、歪多重量子井戸層12と活性層4とが一体の光導波路2を構成している。また、TEモードとTMモードのサブバンド間吸収スペクトルが十分に重なっている。サブバンド間吸収を利用しているので非線形性が大きく,TEモードとTMモードとが十分に重なっているので波長帯域が広いだけでなく,偏波依存性も小さくできる。
Claim (excerpt)：
光導波路の一部を構成する第一の半導体層と、この第一の半導体層に電子および正孔を注入するキャリア注入手段と、前記第一の半導体層と共に前記光導波路の一部を構成しかつ前記第一の半導体層における誘導放出利得の波長帯域内にサブバンド間吸収の共鳴波長が設定された多重量子井戸構造の第二の半導体層とを備えてなり、前記共鳴波長が前記第二の半導体層内での位置により異なるように構成されていることを特徴とする導波型光半導体装置。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)
-
光非線形増幅素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-236426
Applicant：日本電信電話株式会社
Article cited by the Patent：
Return to Previous Page
