半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松本正夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997337838
Publication number (International publication number)：1999162829
Application date： Nov. 21, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】露光光の反射によるレジストパターンの崩れを防止し、微細なパターニングを可能とする。【解決手段】基板11上に第1のSiO2膜12を堆積し、その第1のSiO2膜12上に、0.1wt%以上の濃度のB、Pのうち少なくとも一方を添加したSiO2膜13を堆積し、さらにSiO2膜13上にフォトレジスト15を塗布し、フォトレジスト15を200nm以下の波長の光で露光する工程を含む。

Claim (excerpt)：

半導体装置の製造方法において、B、Pのうち少なくとも一方を添加した絶縁膜を堆積する工程と、前記絶縁膜上にフォトレジストを塗布する工程と、前記フォトレジストを短波長の光で露光する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 , G03F 7/38 501 , H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 21/30 574 , G03F 7/38 501 , H01L 21/88 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-144230
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-268160 Applicant：三菱電機株式会社
特開昭57-107053

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