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J-GLOBAL ID：200903012573806526

半導体レーザ

Inventor： 安部 克則 ,  木村 裕治 ,  渥美 欣也 ,  上野 祥樹
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995019563
Publication number (International publication number)：1996008494
Application date： Feb. 07, 1995
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 大出力で、かつ、円形に近いビーム形状のレーザ光を得ることができる半導体レーザを提供することにある。【構成】 n-GaAs基板1上にn-GaAs層2が形成され、その上にn-Al0.4 Ga0.6 Asクラッド層3、n-Al0.2 Ga0.8 As光ガイド層4、Al0.2 Ga0.8 As/GaAs多重量子井戸構造からなる活性層5、p-Al0.2 Ga0.8 As光ガイド層6、p-Al0.4 Ga0.6 Asクラッド層7、p-GaAs層8がメサ形に積層されている。活性層5の厚さが127.5nmで、活性層5と光ガイド層4と光ガイド層6との合計の厚さが1.5μm以上となっている。n-GaAs層2およびメサ状部の上面には絶縁膜9およびp型電極10が形成されている。ストライプ幅は400μmとなっている。

Claim (excerpt)：

ストライプ幅が100μm以上である半導体レーザであって、キャリアが注入され、該注入されたキャリアを再結合させることで光を発生する活性層と、前記活性層の上下の少なくともいずれか一方に形成され、前記活性層よりも実質的に屈折率の低い材料で構成されて前記活性層で発生された前記光を閉じ込める光ガイド層と、前記光ガイド層を含めた前記活性層の上下に形成され、前記光ガイド層よりも実質的に屈折率の低い材料で構成されたクラッド層とを有し、前記活性層と前記光ガイド層との厚さの合計を1.5μm以上としたことを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-007007   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 特開平2-148874
  
• 特開昭60-239084
  
• 特開昭60-242687