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J-GLOBAL ID：200903012577187596

不揮発性半導体記憶装置

Inventor：
天沼 一志

About 天沼 一志


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993334307
Publication number (International publication number)：1995202039
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】 読みだし・書き込み回数の制限のない不揮発性半導体装置を提供する。【構成】 電荷転送用トランジスタと強誘電体キャパシタによってメモリセルを構成した半導体記憶装置において、キャパシタ材料に用いる強誘電体10を(Pb1-a Caa )TiO3 (ただし、a=0.01〜0.4)または(Pb1-b Smb )TiO3 (ただし、b=0.05〜0.15)または(Pb1-c Gdc )TiO3 (ただし、c=0.05〜0.15)のうちいずれかを主成分とする材料によって構成する。
Claim (excerpt)：
電荷転送用トランジスタと強誘電体キャパシタによってメモリセルを構成した半導体記憶装置において、上記強誘電体が(Pb1-a Caa )TiO3 (ただし、a=0.01〜0.4)または(Pb1-b Smb )TiO3 (ただし、b=0.05〜0.15)または(Pb1-c Gdc )TiO3 (ただし、c=0.05〜0.15)のうちいずれかを主成分とする材料によって構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115
FI (3)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/10 434
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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