Pat

J-GLOBAL ID：200903012695366470

パタン形成方法

Inventor： 長谷川 昇雄 ,  村井 二三夫 ,  山口 秀範
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992042826
Publication number (International publication number)：1993241348
Application date： Feb. 28, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【構成】エネルギ線の照射により、酸を発生する酸発生剤を含有したレジスト2でパタンを形成する。その上に、酸の増感反応を利用してネガ型に反応する化学増幅系レジスト4を被着する。この状態で熱処理を施す。この工程により、レジスト2中の酸がレジスト4に一定深さ拡散し、ネガ型に反応する。次に現像処理を行うことにより、ネガ型に反応していない余分なレジストは除去される。【効果】溝パタンやホールパタンの寸法を実効的に微細化することが可能であり、リソグラフィーの解像限界以下の微細パタンが形成できる。

Claim (excerpt)：

被加工基板上に、エネルギ線の照射により酸を発生する酸発生剤を含有したレジストパタンを形成する工程、前記酸の存在下で不溶化する樹脂を被着する工程、熱処理により前記酸発生剤を含有した前記レジストパタンから前記酸の存在下で不溶化する前記樹脂に前記酸を拡散する工程、現像により前記酸の拡散していない前記酸の存在下で不溶化する前記樹脂を除去する工程を少なくとも含むことを特徴とするパタン形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 361 P ,  H01L 21/30 361 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-237458
  
• 特開平2-156244
  
• レジストパタンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-249368   Applicant：沖電気工業株式会社
• 微細パターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-161347   Applicant：シヤープ株式会社