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J-GLOBAL ID：200903012810229180

水素貯蔵材料とその製造方法

Inventor：
下山 正

About 下山 正

, 
村田 和久

About 村田 和久


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所

, 
株式会社荏原製作所

About 株式会社荏原製作所


Agent (2)： 松田 大 ,  松田 大
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000272507
Publication number (International publication number)：2002088589
Application date： Sep. 08, 2000
Publication date： Mar. 27, 2002
Summary：
【要約】【課題】 水素吸蔵能力の高い繊維状グラファイトからなる水素貯蔵材料とその製造方法を提供する。【解決手段】 直径が、40nm以下である微細な繊維状グラファイトからなる水素貯蔵材料であり、該材料は、室温下での水素吸蔵率が0.8wt%以上であり、また、該材料は、触媒金属の微粒子を核として、合成ガスを用いて気相成長法によって成長させ、微細な繊維状グラファイトとすることにより製造し、前記触媒金属は、コバルト、ニッケル、鉄又は銅の一種以上から選ばれ、前記気相成長法による成長は、温度700°C以上で行うのがよく、前記合成ガスは、CO、CH4、CO2又はC2H4一種以上とH2ガスを用いることができ、前記合成ガスは、水素濃度が40%以上であるのがよい。
Claim (excerpt)：
直径が、40nm以下である微細な繊維状グラファイトからなる水素貯蔵材料。
IPC (10)：
D01F 9/127 ,  B01J 20/20 ,  B01J 23/72 ,  B01J 23/745 ,  B01J 23/75 ,  B01J 23/755 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 3/00 ,  C01B 31/04 101
FI (10)：
D01F 9/127 ,  B01J 20/20 B ,  B01J 23/72 M ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 3/00 B ,  C01B 31/04 101 Z ,  B01J 23/74 301 M ,  B01J 23/74 311 M ,  B01J 23/74 321 M
F-Term (38)：
4G040AA33 ,  4G040AA42 ,  4G046EA05 ,  4G046EB13 ,  4G046EC01 ,  4G046EC05 ,  4G066AA04B ,  4G066BA16 ,  4G066BA36 ,  4G066CA38 ,  4G066FA17 ,  4G066FA34 ,  4G069AA02 ,  4G069BB02A ,  4G069BB02B ,  4G069BC31A ,  4G069BC31B ,  4G069BC66A ,  4G069BC66B ,  4G069BC67A ,  4G069BC67B ,  4G069BC68A ,  4G069BC68B ,  4G069CB81 ,  4G140AA33 ,  4G140AA42 ,  4G140AA48 ,  4L037CS04 ,  4L037FA03 ,  4L037FA04 ,  4L037FA05 ,  4L037PA05 ,  4L037PA06 ,  4L037PA12 ,  4L037PA17 ,  4L037PA18 ,  4L037PA19 ,  4L037UA20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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