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J-GLOBAL ID：200903012875698501

イオン注入装置

Inventor： 新倉 高一 ,  横尾 秀和 ,  久宗 武司 ,  西橋 勉 ,  木村 伸昭 ,  樫本 和浩
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 北村 欣一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998149025
Publication number (International publication number)：1999339711
Application date： May. 29, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】1枚の基板の面内に異なるイオン注入量の領域を形成するに適したイオン注入装置を提供すること【解決手段】真空中に設けた基板3にイオン源1からのイオンビーム4を一方向へスキャンして該基板にイオン注入する装置に於いて、該基板の前方に、該イオンビームが該基板の面内へ入射する領域を可変制御する入射領域制御スリット8を設けた。入射領域制御スリット8は一定開口面積のスリット11と該スリットの開口面積を減縮制御するシャッター12とで構成される。

Claim (excerpt)：

真空中に設けた基板にイオン源からのイオンビームを一方向へスキャンして該基板にイオン注入する装置に於いて、該基板の前方に、該イオンビームが該基板の面内へ入射する領域を可変制御する入射領域制御スリットを設けたことを特徴とするイオン注入装置。

IPC (2)：

H01J 37/317 ,  H01J 37/09

FI (2)：

H01J 37/317 Z ,  H01J 37/09 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開平4-184853
  
• 特開平4-184853
  
• 特開平3-071545
  
• 特開平3-071545
  
• 多分割イオン注入装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-057171   Applicant：富士通株式会社
• 特開平4-184853
  
• 特開平3-071545