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J-GLOBAL ID:200903012880765365
シリコン加速度計
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
草野 卓 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994242924
Publication number (International publication number):1996105913
Application date: Oct. 06, 1994
Publication date: Apr. 23, 1996
Summary:
【要約】【目的】 外来雑音の影響を受け難く、良好な温度補償を行い、かつ歩留りがよく、小形、安価に構成できる。【構成】 単結晶シリコンでおもり13、支持部15、おもりを支持部に支持するはり14が形成され、はり14にピエゾ抵抗素子16が取付けられ、支持部15の両面にストッパ22,23が取付けられ、おもり13の所定値以上の変位が防止される。ストッパ22が単結晶シリコン基板で構成され、ストッパ22に、抵抗素子16からなるブリッジに対する電圧を印加する駆動回路18、前記ブリッジの出力を増幅する検出回路19、これらに対する温度補償回路21がICとして構成されている。
Claim (excerpt):
支持部と、おもり部とがはりを介して単結晶シリコンで一体に構成され、上記おもりが上記支持部に対して所定値以上変位することを防止する第1,第2ストッパが上記おもりの両側において上記支持部に取付けられ、上記はりにピエゾ抵抗素子が取付けられ、上記おもりの変位にもとづく、上記ピエゾ抵抗素子のピエゾ抵抗値の変化が検出回路で電気信号として検出されるシリコン加速度計において、上記検出回路は上記第1,第2ストッパの一方に形成されていることを特徴とするシリコン加速度計。
IPC (3):
G01P 15/12
, G01P 21/00
, H01L 29/84
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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特開平4-278462
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特開平4-361164
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半導体加速度センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-105472
Applicant:株式会社フジクラ
-
特開平4-332868
-
半導体加速度センサの故障検出回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-087760
Applicant:オムロン株式会社
-
半導体加速度センサ及びその自己診断試験方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-316290
Applicant:三洋電機株式会社, 曙ブレーキ工業株式会社
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