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J-GLOBAL ID：200903012889836036

金属ナノ粒子低対称性二次元超格子の製造方法

Inventor：
寺西 利治

About 寺西 利治


Applicant, Patent owner：
独立行政法人 科学技術振興機構

About 独立行政法人 科学技術振興機構


Agent (1)： 佐伯 憲生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003161930
Publication number (International publication number)：2004358629
Application date： Jun. 06, 2003
Publication date： Dec. 24, 2004
Summary：
【課題】本発明は、塩基性配位子保護金属ナノ粒子を用い、配位子の種類を変えることなく、四回対称正方晶構造又は三回対称擬似ハニカム構造等のナノ粒子低対称性二次元超格子を創製しようとするものである。【解決手段】本発明は、塩基性配位子、例えば下記一般式[1]【化1】(式中、Rはアルキル基を表し、nは正の整数を表す。)で示されるベンジルジアルキルアミン誘導体等で保護された金属ナノ粒子を有機溶媒中に分散させ、これを有機酸で処理することにより得られた金属ナノ粒子を水に溶解し、該水溶液を親水性の基板上に添加、塗布、乾燥させることにより自己組織化させることを特徴とする、ナノ粒子低対称性二次元超格子の製造方法に関する。また、本発明は、塩基性配位子で保護された金属ナノ粒子の表面を有機酸で修飾してなる金属ナノ粒子に関する。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
塩基性配位子で保護された金属ナノ粒子を用い、有機酸でナノ粒子の表面を修飾することにより、配位子の種類を変えることなく、ナノ粒子低対称性二次元超格子を製造する方法。
IPC (5)：
B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  C23C30/00 ,  H01L29/06 ,  H01L51/00
FI (5)：
B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  C23C30/00 Z ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/28
F-Term (8)：
4K044AA06 ,  4K044AA16 ,  4K044BA06 ,  4K044BA08 ,  4K044BB03 ,  4K044BB11 ,  4K044BC14 ,  4K044CA53
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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