量子欠陥磁束ピン止め型超伝導材料及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：平山一幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001009276
Publication number (International publication number)：2002220230
Application date： Jan. 17, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】銅酸化物超伝導体において、スピン量子欠陥を有し、c軸方向の超伝導コヒーレンス長が長く、かつ、超伝導異方性が小さいことにより、不可逆磁界Hirr、臨界電流密度Jc及び超伝導転移温度Tcが高い、量子欠陥磁束ピン止め型超伝導材料及びその製造方法を提供する。【解決手段】スピンの無いMgイオンの回りのCu原子のスピンがスピン相互作用により大きく分極し、一定方向にその向きを揃え、この分極の磁界によって分極近傍の超伝導電子対が破壊され、非超伝導相、または、超伝導転移温度の低い超伝導相となり、磁束が侵入し易くなり、磁束ピン止めセンターとして作用する。

Claim (excerpt)：

スピン、スピン相互作用、交換相互作用、超交換相互作用、及び/又は、スピン揺らぎ効果が超伝導機構の主要部分である銅酸化物超伝導体において、スピンを有するCuイオン及び/又はOイオンの結晶格子点に、スピンを持たないイオン、空格子、異種スピン状態のイオン、及び/又は格子欠陥からなるスピン量子欠陥を有しており、このスピン量子欠陥が超伝導コヒーレンス長程度の領域に非超伝導相又は低い超伝導転移温度相を形成する効果により、上記スピン量子欠陥が磁束のピン止め中心として作用することを特徴とする、量子欠陥磁束ピン止め型超伝導材料。

IPC (3)：

C01G 3/00 ZAA , C01G 1/00 , H01B 13/00 565

FI (3)：

C01G 3/00 ZAA , C01G 1/00 S , H01B 13/00 565 D

F-Term (10)：

4G047JA02 , 4G047JC10 , 4G047KB04 , 4G047LB01 , 5G321AA01 , 5G321CA04 , 5G321CA24 , 5G321CA27 , 5G321DB12 , 5G321DB45

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Mgドープ低異方性高温超伝導体とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-122631 Applicant：工業技術院長

Return to Previous Page