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J-GLOBAL ID：200903012932015726

半導体装置

Inventor： 平野 尚彦 ,  手嶋 孝紀 ,  真光 邦明 ,  八木 賢次 ,  中瀬 好美 ,  大倉 康嗣 ,  野村 和仁 ,  福田 豊
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 佐藤 強
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002196140
Publication number (International publication number)：2003110064
Application date： Jul. 04, 2002
Publication date： Apr. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置に対して大きな熱応力が作用したときに、素子破壊を防止することができ、半導体装置の長期的信頼性を向上させる。【解決手段】 本発明の半導体装置1は、半導体チップ2と、この半導体チップ2の両面から放熱するための一対のヒートシンク3、4とを備え、装置のほぼ全体を樹脂7でモールドしたものにおいて、半導体チップ2の厚さ寸法をt1とし、一対のヒートシンク3、4のうちの少なくとも一方のヒートシンク3の厚さ寸法をt2としたときに、t2/t1≧5が成立するように構成したものである。本発明者らは、上記構成の半導体装置1に対して大きな熱応力が作用しても、素子破壊が発生しないことを試作と実験により確認した。

Claim (excerpt)：

発熱素子と、この発熱素子の両面から放熱するための一対の放熱板とを備え、装置のほぼ全体を樹脂でモールドした半導体装置において、前記発熱素子の厚さ寸法をt1とし、前記一対の放熱板のうちの少なくとも一方の放熱板の厚さ寸法をt2としたときに、t2/t1≧5が成立するように構成したことを特徴とする半導体装置。

F-Term (6)：

5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01 ,  5F036BD21 ,  5F036BE01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭58-165348
  
• 樹脂封止半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-268215   Applicant：富士電機株式会社
• 特開昭63-142640
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-333124   Applicant：株式会社デンソー