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J-GLOBAL ID:200903013015394986

電界放出表示素子及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 服部 雅紀
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000321094
Publication number (International publication number):2001167721
Application date: Oct. 20, 2000
Publication date: Jun. 22, 2001
Summary:
【要約】【課題】 垂直配向された炭素ナノチューブを用いた電界放出表示素子を提供する。【解決手段】 下部基板30上にカソード電極用金属膜32が形成され、金属膜32上には垂直配向されたエミッタチップ用炭素ナノチューブ34が形成されている。金属膜32上にはスペーサ36が設けられており、スペーサ36上にはその表面に透明電極52及び蛍光体54が付着された上部基板50が付着されている。電界放出表示素子は、2電極構造という簡単な構造となっているので製造収率を高めることができ、かつ大面積の製造が可能である。また、エミッタ用チップとして垂直配向された炭素ナノチューブを用いるので、低い動作電圧下でも大きい放出電流を得ることができる。
Claim (excerpt):
下部基板上に形成されたカソード電極用金属膜と、前記金属膜上に垂直配向されたエミッタチップ用炭素ナノチューブと、前記金属膜上に設けられたスペーサと、前記スペーサ上に設けられ、その表面に透明電極及び蛍光体が付着された上部基板と、を備えることを特徴とする電界放出表示素子。
IPC (5):
H01J 31/12 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 16/26 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04
FI (5):
H01J 31/12 C ,  C01B 31/02 101 F ,  C23C 16/26 ,  H01J 9/02 B ,  H01J 29/04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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