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J-GLOBAL ID:200903013045230325
化学的機械的研磨用スラリー、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、及び化学的機械的研磨用スラリーの取り扱い方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002089951
Publication number (International publication number):2003113370
Application date: Mar. 27, 2002
Publication date: Apr. 18, 2003
Summary:
【要約】【課題】高精度な研磨を高い研磨速度で実施可能であり且つ保管や廃棄が容易なCMP用スラリー、その取り扱い方法、それを用いた半導体装置の製造方法、及びそれを使用可能な半導体装置の製造装置を提供すること。【解決手段】本発明の化学的機械的研磨用スラリー7は、分散媒25と、前記分散媒25中に分散し且つ光照射により光触媒作用を呈する研磨粒子18と、前記分散媒25中に溶解したノニオン界面活性剤とを含有する。
Claim (excerpt):
分散媒と、前記分散媒中に分散し且つ光照射により光触媒作用を呈する研磨粒子と、前記分散媒中に溶解したノニオン界面活性剤とを含有した化学的機械的研磨用スラリー。
IPC (6):
C09K 3/14 550
, C09K 3/14
, B24B 37/00
, B24B 57/02
, H01L 21/304 621
, H01L 21/304 622
FI (6):
C09K 3/14 550 D
, C09K 3/14 550 Z
, B24B 37/00 H
, B24B 57/02
, H01L 21/304 621 D
, H01L 21/304 622 D
F-Term (6):
3C047FF08
, 3C047GG15
, 3C058AA07
, 3C058AC04
, 3C058CB01
, 3C058DA17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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半導体装置製造用の研磨用組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-005413
Applicant:旭化成株式会社
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半導体デバイス製造用研磨剤及び該研磨剤を用いた研磨方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-044825
Applicant:住友化学工業株式会社
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光触媒体の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-319550
Applicant:シャープ株式会社, 大阪府
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特開昭61-042333
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金属超微粒子担持光触媒及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-222912
Applicant:大研化学工業株式会社, 小松晃雄
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光触媒粉体およびそれを用いた水質浄化方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-333825
Applicant:科学技術振興事業団, 財団法人神奈川科学技術アカデミー, 株式会社明電舎
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光活性を有する半導体基板金属膜研磨用組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-186640
Applicant:旭化成株式会社
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半導体基板上の金属膜研磨用組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-116864
Applicant:旭化成株式会社
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