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J-GLOBAL ID:200903013045230325

化学的機械的研磨用スラリー、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、及び化学的機械的研磨用スラリーの取り扱い方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002089951
Publication number (International publication number):2003113370
Application date: Mar. 27, 2002
Publication date: Apr. 18, 2003
Summary:
【要約】【課題】高精度な研磨を高い研磨速度で実施可能であり且つ保管や廃棄が容易なCMP用スラリー、その取り扱い方法、それを用いた半導体装置の製造方法、及びそれを使用可能な半導体装置の製造装置を提供すること。【解決手段】本発明の化学的機械的研磨用スラリー7は、分散媒25と、前記分散媒25中に分散し且つ光照射により光触媒作用を呈する研磨粒子18と、前記分散媒25中に溶解したノニオン界面活性剤とを含有する。
Claim (excerpt):
分散媒と、前記分散媒中に分散し且つ光照射により光触媒作用を呈する研磨粒子と、前記分散媒中に溶解したノニオン界面活性剤とを含有した化学的機械的研磨用スラリー。
IPC (6):
C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  B24B 57/02 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622
FI (6):
C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  B24B 37/00 H ,  B24B 57/02 ,  H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 D
F-Term (6):
3C047FF08 ,  3C047GG15 ,  3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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