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J-GLOBAL ID:200903013087276414
高輝度メカノルミネッセンス材料及びその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
阿形 明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002203781
Publication number (International publication number):2004043656
Application date: Jul. 12, 2002
Publication date: Feb. 12, 2004
Summary:
【課題】高い輝度を有し、かつ繰り返し応力を印加しても発光輝度の減衰がない新規なメカノルミネッセンス材料を提供する。【解決手段】一般式xM1A1・(1-x)M2A2(M1及びM2は、Zn、Mn、Cd、Cu、Eu、Fe、Co、Ni、Mg及びCaの中から選ばれる少なくとも1種の原子、A1及びA2はカルコーゲンの中から選ばれる少なくとも1種の原子、M1A1とM2A2とは異なったもの、xは0よりも大きく1よりも小さい数)で表わされる複合半導体結晶からなる高輝度メカノルミネッセンス材料とする。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
一般式
xM1A1・(1-x)M2A2
(式中のM1及びM2は、Zn、Mn、Cd、Cu、Eu、Fe、Co、Ni、Mg及びCaの中から選ばれる少なくとも1種の原子であり、A1及びA2はカルコーゲンの中から選ばれる少なくとも1種の原子であって、M1A1とM2A2とは異なったものであり、xは0よりも大きく1よりも小さい数である)
で表わされる複合半導体結晶からなる高輝度メカノルミネッセンス材料。
IPC (3):
C09K11/88
, C09K11/08
, G01L1/24
FI (3):
C09K11/88
, C09K11/08 B
, G01L1/24 Z
F-Term (16):
4H001CA02
, 4H001CF02
, 4H001XA08
, 4H001XA12
, 4H001XA16
, 4H001XA20
, 4H001XA25
, 4H001XA26
, 4H001XA27
, 4H001XA28
, 4H001XA29
, 4H001XA30
, 4H001XA34
, 4H001XA48
, 4H001XA52
, 4H001XA63
Patent cited by the Patent:
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