極端紫外光源装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：木村高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002103975
Publication number (International publication number)：2003297737
Application date： Apr. 05, 2002
Publication date： Oct. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】ワーキングディスタンスを大きくし、かつ高出力の極端紫外光を得ることの可能な極端紫外光源装置を提供する。【解決手段】ターゲット(22)に駆動用レーザ装置(25)からレーザ光を照射してプラズマを発生させ、数nm〜数十nmの波長を有する極端紫外(EUV)光を発生させる極端紫外光源装置において、ターゲット(22)に電荷を与える電荷付与手段(23)と、電荷を帯びたターゲット(22)を電磁場を利用して加速させる加速手段(24)とを有し、キセノン(Xe)などの希ガス元素やリチウム(Li)、錫(Sn)、又は酸化錫(SnO2)などの金属からなるターゲット(22)を、イオン化させた分子、原子、複数原子の塊、またはイオン化させたクラスタとして供給するターゲット供給装置を備えたことを特徴とする極端紫外光源装置。

Claim (excerpt)：

ターゲット(22)に駆動用レーザ装置(25)からレーザ光を照射してプラズマを発生させ、数nm〜数十nmの波長を有する極端紫外(EUV)光を発生させる極端紫外光源装置において、ターゲット(22)に電荷を与える電荷付与手段(23)と、電荷を帯びたターゲット(22)を電磁場を利用して加速させる加速手段(24)とを有するターゲット供給装置を備えたことを特徴とする極端紫外光源装置。

IPC (5)：

H01L 21/027 , G21K 5/00 , G21K 5/02 , G21K 5/08 , H05G 2/00

FI (6)：

G21K 5/00 Z , G21K 5/02 X , G21K 5/08 X , G21K 5/08 Z , H01L 21/30 531 S , H05G 1/00 K

F-Term (6)：

4C092AA06 , 4C092AA13 , 4C092AA14 , 4C092AB10 , 4C092AC09 , 5F046GC03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

レーザプラズマX線源およびそれを用いた半導体露光装置並びに半導体露光方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-024731 Applicant：株式会社日立製作所

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