フォトレジスト膜除去方法及び装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：景山憲二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000217877
Publication number (International publication number)：2002033300
Application date： Jul. 18, 2000
Publication date： Jan. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】フォトレジスト膜を短時間で剥離する。【解決手続】フォトレジスト膜剥離用オゾン水製造装置は、濃度230g/Nm3 程度のオゾンを発生させるオゾン発生装置1、これを800g/Nm3 程度に高濃度化するオゾン高濃度化装置2、純水供給系3、この系に設けられオゾン水を45°C程度に加熱する加熱器4、超純水中にオゾンを50ppm程度の高濃度で溶解させるオゾン溶解モジュール5、等で構成されている。【効果】例えばリンイオン打ち込み環境に曝されたような難剥離性のフォトレジスト膜であっても10分以内の短時間で剥離処理することができる。

Claim (excerpt)：

オゾン含有純水をフォトレジスト膜の残留している基板と接触させて前記フォトレジスト膜を除去するフォトレジスト膜除去方法において、前記オゾン含有純水をほぼ22°C以上の温度とほぼ30ppm以上の溶存オゾン濃度とを含む条件にすることを特徴とするフォトレジスト膜除去方法。

IPC (7)：

H01L 21/304 647 , H01L 21/304 642 , H01L 21/304 648 , C02F 1/461 , C02F 1/78 ZAB , G03F 7/42 , H01L 21/027

FI (7)：

H01L 21/304 647 Z , H01L 21/304 642 A , H01L 21/304 648 K , C02F 1/78 ZAB , G03F 7/42 , C02F 1/46 101 Z , H01L 21/30 572 B

F-Term (12)：

2H096AA25 , 2H096LA03 , 4D050AA05 , 4D050BB02 , 4D050BD03 , 4D061DA02 , 4D061DB09 , 4D061EA03 , 4D061EB12 , 5F046MA02 , 5F046MA05 , 5F046MA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

基板処理装置および基板処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-142334 Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
基板表面処理方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-208968 Applicant：三菱電機株式会社
特開平4-146616

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