基板表面処理方法および装置

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：朝日奈宗太 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998208968
Publication number (International publication number)：2000037671
Application date： Jul. 24, 1998
Publication date： Feb. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】高濃度オゾン溶液を利用するプロセスにおいて、高濃度オゾン溶液を有効利用し、処理速度向上のための基板表面処理方法を提供する。【解決手段】高濃度オゾン溶液を被処理物である基板3に接触させるプロセスにおいて、オゾン溶液供給口5から被処理物である基板3までの間に気液界面が存在しないように少なくとも前記オゾン供給口5から基板3までを密閉し得る構造とした。

Claim (excerpt)：

高濃度オゾン溶液を被処理物に接触させるプロセスにおいて、オゾン溶液供給口から被処理物までの間に気液界面が存在しないように少なくとも前記オゾン供給口から被処理物までを密閉し得る構造としたことを特徴とする基板表面処理方法。

IPC (5)：

B08B 5/00 , B08B 3/02 , H01L 21/027 , H01L 21/304 642 , H01L 21/316

FI (5)：

B08B 5/00 Z , B08B 3/02 F , H01L 21/304 642 F , H01L 21/316 U , H01L 21/30 572 A

F-Term (27)：

3B116AA01 , 3B116AB34 , 3B116BB22 , 3B116BB89 , 3B116CD42 , 3B201AA02 , 3B201AA03 , 3B201AB34 , 3B201BB02 , 3B201BB03 , 3B201BB04 , 3B201BB05 , 3B201BB22 , 3B201BB32 , 3B201BB93 , 3B201BB96 , 3B201CD33 , 5F046MA02 , 5F046MA10 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BE03 , 5F058BF29 , 5F058BF58 , 5F058BF63 , 5F058BF65 , 5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体ウェハの洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-294374 Applicant：株式会社東芝
基板洗浄装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-249082 Applicant：松下電器産業株式会社
回転式半導体基板処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-266985 Applicant：ソニー株式会社

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