Pat
J-GLOBAL ID:200903013104579833
太陽電池の短絡部除去方法及び該短絡部除去装置
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
楠本 高義
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996163964
Publication number (International publication number):1998012901
Application date: Jun. 25, 1996
Publication date: Jan. 16, 1998
Summary:
【要約】【課題】 半導体層を挟持する基板側電極と裏面側電極との電極間に短絡部が発生した場合に、耐電圧以下の逆方向電圧を印加して、その際に発生したジュール熱により短絡部を除去あるいは酸化して絶縁する方法及びその装置の改良を図ることにある。【解決手段】 絶縁基板1上に第1の電極層2a,2b......、半導体層5a,5b......、第2の電極層3a,3b......が順次形成された1又は複数の太陽電池セル6a,6b......から成る太陽電池10の短絡部除去方法において、少なくとも太陽電池セル6a,6b......の温度を15°C以下にしつつ、太陽電池セル6a,6b......の隣接する正負の両極に対し逆方向に耐電圧以下の電圧を印加するようにした。
Claim (excerpt):
絶縁基板上に第1の電極層、半導体層、第2の電極層が順次形成された1又は複数の太陽電池セルから成る太陽電池の短絡部除去方法において、少なくとも該太陽電池セルの温度を15°C以下にしつつ、太陽電池セルの隣接する正負の両極に対し逆方向に耐電圧以下の電圧を印加することを特徴とする太陽電池の短絡部除去方法。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (18)
-
薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の欠陥検出方法およびその方法を用いた薄膜太陽電池の欠陥検出除去装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-170730
Applicant:シャープ株式会社
-
特開平4-226085
-
薄膜太陽電池の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-250710
Applicant:キヤノン株式会社
-
光起電力素子の製造方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-293313
Applicant:キヤノン株式会社
-
エッチング方法及び該エッチング方法を用いた半導体素子の製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-293314
Applicant:キヤノン株式会社
-
直列接続光起電力素子アレーの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-117021
Applicant:キヤノン株式会社
-
太陽電池の損壊箇所の修復方法及びその太陽電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-361500
Applicant:キヤノン株式会社
-
特開昭63-041081
-
特開昭63-219179
-
特開昭62-162368
-
特開昭64-018274
-
特開昭61-004284
-
特開昭63-088869
-
特開昭60-046080
-
特開昭58-004984
-
特開昭63-171900
-
特開昭59-094473
-
特開昭61-085873
Show all
Return to Previous Page