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J-GLOBAL ID：200903013141877259

サファイア基板

Inventor： 中村 文彦 ,  河合 弘治 ,  森田 悦男
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996203056
Publication number (International publication number)：1998025197
Application date： Jul. 12, 1996
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させた後に基板を劈開することによりこの窒化物系III-V族化合物半導体層を劈開して凹凸のない鏡面の端面を形成することができるサファイア基板を提供する。【解決手段】 (1-102)面(r面)および(11-20)面(a面)に垂直な主面を有するサファイア基板1上に窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させてレーザ構造を形成する。このとき、サファイア基板1の劈開容易面であるr面と窒化物系III-V族化合物半導体層の劈開容易面であるa面とは互いに平行になる。サファイア基板1をr面に沿って劈開することによりその上の窒化物系III-V族化合物半導体層をa面に沿って劈開して共振器の端面を形成する。

Claim (excerpt)：

(1-102)面および(11-20)面にほぼ垂直な主面を有することを特徴とするサファイア基板。

IPC (7)：

C30B 29/20 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/301 ,  H01L 27/12 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (7)：

C30B 29/20 ,  C30B 29/40 502 K ,  H01L 27/12 S ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/78 U

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体レーザダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-079217   Applicant：京セラ株式会社

Cited by examiner (1)

• 半導体レーザダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-079217   Applicant：京セラ株式会社