半導体レーザダイオード

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996079217
Publication number (International publication number)：1997270565
Application date： Apr. 01, 1996
Publication date： Oct. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】サファイアの劈開面の精度を向上させることにより、共振器を構成する多重層の対向端面の平行度及び面精度を良好な状態に改善し、レ-ザの発振効率を向上させ、半導体レ-ザダイオ-ドを歩留り良く得ること。【解決手段】 R面と直交するR軸を回転軸として得られる面を主面としたサファイア板1の主面11上に、レーザ素子を成す半導体の多重層3を設けるとともに、該半導体の多重層3の共振面3aを形成する面が、サファイア板1のR面に沿った劈開面に連なることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

R面と直交するR軸を回転軸として得られる面を主面としたサファイア板の主面上に、レーザ素子を成す半導体の多重層を設けるとともに、該半導体の多重層の共振面を形成する面が、前記サファイア板のR面に沿った劈開面に連なることを特徴とする半導体レ-ザダイオ-ド。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

窒化物半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-006300 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-012796 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体発光装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-337192 Applicant：ソニー株式会社

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