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J-GLOBAL ID：200903013190003957

III-N系化合物半導体装置

Inventor： 小河 淳 ,  湯浅 貴之 ,  上田 吉裕 ,  津田 有三 ,  荒木 正浩 ,  種谷 元隆
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000266479
Publication number (International publication number)：2001148357
Application date： Sep. 04, 2000
Publication date： May. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】 n型電極の接触比抵抗が低く、閾値電圧または閾値電流密度が低いのGaN発光素子を提供する。【解決手段】 GaN発光素子は、GaN基板102、基板102上に形成された複数のGaN系化合物半導体層102〜110、ならびにn型電極101およびp型電極111を備え、そこにおいて、基板102はn型であり、n型電極101は、基板102の窒素終端面102A上に形成されている。基板102中のn型不純物の濃度は1×1017cm-3〜1×1021cm-3の範囲内であることが好ましい。

Claim (excerpt)：

III-N系化合物半導体基板、前記半導体基板上に形成された複数のIII-N系化合物半導体層、および前記半導体基板上に形成された前記複数の半導体層に電圧を印加するためのn型電極およびp型電極を備え、前記半導体基板はn型であり、かつ前記n型電極は、前記半導体基板の窒素終端面上に形成されている、III-N系化合物半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/28 301 ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/042 610

FI (5)：

H01L 21/28 301 H ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/042 610

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体素子の電極の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-079681   Applicant：昭和電工株式会社
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-135288   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-082511   Applicant：三洋電機株式会社