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J-GLOBAL ID：200903064612067442

窒化物半導体素子

Inventor： 木戸口 勲 ,  石橋 明彦 ,  粂 雅博 ,  伴 雄三郎
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999135288
Publication number (International publication number)：2000332364
Application date： May. 17, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 発光効率の高いGaN系半導体レーザを提供する。【解決手段】 サファイア基板上にn-クラッド層、MQW活性層、p-クラッド層が積層されており、さらに、MQW活性層のバリア層に傾斜ドーピングを施してあり、その結果、圧縮応力によって発生するピエゾ電界効果を効果的に低減でき、発光効率の大きな窒化物半導体素子を得ることができる。

Claim (excerpt)：

活性層と、該活性層を挟むクラッド層とを備えた窒化物半導体素子であって、該活性層がバリア層とウエル層からなる多重量子井戸構造であり、該バリア層には不純物が添加されており、該不純物の濃度がバリア層内で徐々に減少している窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01S 5/343 ,  H01S 5/323

FI (2)：

H01S 3/18 677 ,  H01S 3/18 673

F-Term (7)：

5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073BA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CB14 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-140828   Applicant：株式会社日立製作所
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-082510   Applicant：三洋電機株式会社