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J-GLOBAL ID:200903013229046152

多層ウエハ用ゲッタ及びその作製法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995135526
Publication number (International publication number):1995335654
Application date: Jun. 02, 1995
Publication date: Dec. 22, 1995
Summary:
【要約】【目的】 接合ウエハのような誘電的分離ウエハ構造用の、ゲッタ構造を提供する。【構成】 ゲッタ層は、溝により相互に分離された半導体領域を有するウエハ上に、堆積させる。層はエッチバックし、半導体領域の側壁に沿って、ポリシリコンの層を残す。ポリシリコンはドープしてもよい。ポリシリコンは酸化し、溝中の空孔を満すため、ポリシリコンを、堆積させる。
Claim (excerpt):
動作層(たとえば13)及び操作層(たとえば11)を有し、動作層は溝(たとえば15)により、部分に分割され、各動作層部分は溝により形成された小表面(たとえば16)を有するウエハ(たとえば10)において、小表面の少くとも1つの上のゲッタリング層(たとえば17)を特徴とするウエハ。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (33)
  • 特開昭63-038235
  • 特開昭63-038235
  • 特開平4-114433
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