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J-GLOBAL ID:200903013269291028

パラメータ調整装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 久保田 直樹 ,  野村 泰久
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003275037
Publication number (International publication number):2005038216
Application date: Jul. 16, 2003
Publication date: Feb. 10, 2005
Summary:
【課題】遺伝的アルゴリズムをトランジスタの物理モデルのパラメータ調整に適用して効率および精度のよいパラメータの調整を行うこと。【解決手段】パラメータ調整装置は特殊な交叉処理によって新たなパラメータ遺伝子を生成する手段を備える。また、実数であるパラメータに適用するために正規化手段を備える。更に、トランジスタ(MOSFET)特有の特性に高精度で合致するようにパラメータの評価を行う評価手段を備える。このような構成によって、トランジスタの物理モデルのパラメータ調整に遺伝的アルゴリズムを適用することが可能となり、短時間で最適なパラメータ群を決定でき、このパラメータを使用して高精度の回路シミュレーションができる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
半導体素子の物理モデルの複数のパラメータのそれぞれを遺伝子とする染色体を定義し、試作された半導体素子の特性測定データに基づき、遺伝的アルゴリズムを使用してパラメータを最適化するパラメータ調整手段を備えたことを特徴とするパラメータ調整装置。
IPC (2):
G06N3/00 ,  H01L29/00
FI (2):
G06N3/00 550C ,  H01L29/00
F-Term (3):
5B046AA08 ,  5B046BA03 ,  5B046JA04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
Article cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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