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J-GLOBAL ID：200903013280296236

リッジ埋め込み型半導体レーザの製造方法

Inventor： 廣山 良治 ,  庄野 昌幸
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993092984
Publication number (International publication number)：1994310799
Application date： Apr. 20, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 マスクの幅方向の端縁近傍における電流ブロック層の隆起部の形成を抑制し、電流ブロック層形成後に形成するキャップ層の表面を従来よりも平坦な表面に形成する。【構成】 マスクの幅Lが、リッジ1の下端部の幅W及びリッジ1の高さSに対してL≧W+1/2Sの関係を満足するように、マスク12の幅を設定するとともに、このマスク12を用いてメサ状リッジ1を形成し、マスク12の両側のエッチング部分に電流ブロック層を選択的に形成し、電流ブロック層形成後、キャップ層を形成する。

Claim (excerpt)：

マスクを用いてクラッド層を選択的にエッチングしメサ状リッジを形成する工程と、該マスクの両側のエッチング部分に電流ブロック層を選択的に形成する工程と、電流ブロック層形成後キャップ層を形成する工程とを備える、リッジ埋め込み型半導体レーザの製造方法であって、前記マスクの幅Lが、前記リッジの下端部の幅W及びリッジの高さSに対して、L≧W+1/2Sの関係を満足することを特徴とする、リッジ埋め込み型半導体レーザの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体レーザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-334999   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開昭63-060522