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J-GLOBAL ID：200903013354871181

SiC単結晶を成長圧力下に加熱して昇華成長させる方法

Inventor：
シュタイン、ルネ

About シュタイン、ルネ

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クーン、ハラルト

About クーン、ハラルト

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フェルクル、ヨハネス

About フェルクル、ヨハネス


Applicant, Patent owner：
シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト

About シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト


Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001509585
Publication number (International publication number)：2003504298
Application date： Jul. 04, 2000
Publication date： Feb. 04, 2003
Summary：
【要約】SiC単結晶を成長圧力下に加熱して昇華成長させる方法を提供する。SiC本発明による単結晶の昇華成長方法では、固体のSiC(30)の貯蔵領域(12)と、その上にSiC単結晶(32)を成長させるSiC種結晶(31)を有する坩堝10を、本来の成長期間(80)の前に設定された初動期間(70)中に排気し、次いで坩堝の内部帯域(11)内に成長圧力(P1)が得られる迄保護ガスで満たす。更に坩堝(10)をまず中間温度(T0)に、次いで加熱期間(71)中に最高でも20°C/分の昇温速度で成長温度(T1)に加熱する。それにより(既に)加熱期間(71)中に制御された着晶がSiC種結晶上に達成される。
Claim (excerpt)：
a)固体のSiC(30)から成る貯蔵物を坩堝(10)の 貯蔵領域(12)内に容れ、また少なくとも1つのSiC種結晶(31)を 坩堝(10)の少なくとも1つの結晶領域(13)内に容れ、b)坩堝(10)を始動期間(70)中に成長条件にもたらし、c)貯蔵物の固体のSiC(30)の少なくとも一部を昇華させ、SiC気相成 分を含むSiC気相に移行させ、このSiC気相成分の少なくとも一部をSi C種結晶(31)に運び、そこで成長するSiC単結晶(32)として析出さ せることによりSiC単結晶(32)を成長期間(80)中に成長させる、少なくとも1つのSiC単結晶(32)を昇華成長させる方法において、 始動期間(70)中に坩堝(10)をd)まず排気し、次いで坩堝(10)内に成長圧力(P1)が得られる迄、保護 ガスで満たし、e)まず中間温度(T0)に、次いで加熱期間(71)中に、中間温度(T0) から出発して最高でも20°C/分の昇温速度で成長温度(T1)に加熱することを特徴とする、少なくとも1つのSiC単結晶(32)の昇華成長方法。
F-Term (8)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077SA01 ,  4G077SA07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 炭化珪素単結晶の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-213546   Applicant：株式会社デンソー
  • 特開昭59-035099
  • 特表平3-501118

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