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J-GLOBAL ID：200903013404709240

有機アミノタンタル化合物及びこれを含む有機金属化学蒸着用溶液原料並びにこれから作られる窒化タンタル膜

Inventor： 齋 篤 ,  平社 英之 ,  小木 勝実
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999006237
Publication number (International publication number)：2000204095
Application date： Jan. 13, 1999
Publication date： Jul. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】 均一で安定した気化が行われ、高い成膜速度で高純度の所望の窒化タンタル膜を得る。【解決手段】 次の式(2)で示される有機金属化学蒸着用の有機アミノタンタル化合物単体からなるか、又は前記有機アミノタンタル化合物を有機溶媒に溶解してなる有機金属化学蒸着用溶液原料である。ただし、式(2)において、nは整数であって、2≦n≦4である。【化10】有機溶媒としては、炭素数6〜8の炭化水素又は酢酸エステルが好ましく、この有機溶媒に炭素数3〜5のアルキルアミンを添加することが更に好ましい。

Claim (excerpt)：

次の式(1)で示される有機アミノタンタル化合物。【化1】

IPC (3)：

C07F 9/00 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/285

FI (3)：

C07F 9/00 Z ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/285 C

F-Term (20)：

4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AA05 ,  4H050AB78 ,  4H050AB91 ,  4H050WB14 ,  4H050WB21 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030BA17 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA01 ,  4K030LA15 ,  4M104BB32 ,  4M104DD45 ,  4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体デバイスの熱力学的に安定な層
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-219704   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 欠陥密度の低いTi-Si-N及びTi-B-Nベースの絶縁保護性障壁膜の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-301179   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 薄膜作製装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-096168   Applicant：アネルバ株式会社

Cited by examiner (3)

• 半導体デバイスの熱力学的に安定な層
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-219704   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 欠陥密度の低いTi-Si-N及びTi-B-Nベースの絶縁保護性障壁膜の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-301179   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 薄膜作製装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-096168   Applicant：アネルバ株式会社