薄膜作製装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：保立浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995096168
Publication number (International publication number)：1996264517
Application date： Mar. 28, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】液体状態である原料を使用した薄膜作製において、所定量の気化原料を安定して供給することを可能にし、品質の良い薄膜作製を可能にする。【構成】排気系11を備えた反応容器1内に配置された基体ホルダ3に基体2を保持させ、原料ガス導入系4によって原料ガスを導入しながら、加熱手段によって原料ガスを加熱して所望の薄膜を作製する。原料ガス導入系4は、液体状態の原料を溜めた原料容器41と、原料容器41と反応容器1とをつなぐ配管42,40上に設けられた気化器43とを備え、原料容器41から原料が液体状態で少しずつ気化器43に流入し、気化器43で気化されて反応容器1に流入する構成である。

Claim (excerpt)：

排気系を備えた反応容器と、表面に薄膜を作製する基体を反応容器内の所定の位置に配置するための基体ホルダと、常温常圧で液体又は固体である原料を気化させて反応容器内に導入する原料ガス導入系と、導入された原料ガスを加熱して原料ガスを熱的に化学反応させて基体の表面に所定の薄膜を作製する加熱手段とを有し、前記原料ガス導入系は、液体状態の原料を溜めた原料容器と、原料容器と反応容器とをつなぐ配管上に設けられた気化器とを備え、原料容器から原料が液体状態で少しずつ気化器に流入し、気化器で気化されて反応容器に流入する構成であることを特徴とする薄膜作製装置。

IPC (3)：

H01L 21/31 , H01L 21/205 , H01L 21/318

FI (3)：

H01L 21/31 B , H01L 21/205 , H01L 21/318 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平3-141192
特開平3-008330
半導体装置用誘電体の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-294797 Applicant：株式会社日立製作所

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