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J-GLOBAL ID：200903013478068166

イオンセンサー及びイオン検出法

Inventor： 松永 英之 ,  水上 富士夫 ,  花岡 隆昌 ,  タチネニ・バラジ ,  シェリフ・アブダラ・エル・サフティ
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 須藤 政彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006160156
Publication number (International publication number)：2007327887
Application date： Jun. 08, 2006
Publication date： Dec. 20, 2007
Summary：

【課題】日常的な環境モニタリングや工場排水の管理等において、大型の装置類を用いることなく簡便かつ経済的にイオン濃度を計測できるイオンセンサー及びイオン検出法を提供する。【解決手段】窒素吸着法によって求められたBET法比表面積が600平方メートル/g以上、BJH法によって計算される中心紬孔径が3nm以上であるメソポーラスシリカをイオンセンサーの骨格材料として使用し、このメソポーラスシリカに色素分子を保持して複合化したイオンセンサー、及び当該イオンセンサーを利用したイオン検出法。【効果】測定の現場で、簡便に微量イオンの濃度を計測できるイオンセンサーを提供することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

イオンを含む試料のイオン濃度を検出するイオンセンサーであって、骨格材料のメソポーラスシリカに色素分子を保持させて複合化したことを特徴とするイオンセンサー。

IPC (3)：

G01N 31/22 ,  G01N 21/77 ,  G01N 21/78

FI (3)：

G01N31/22 121D ,  G01N21/77 B ,  G01N21/78 Z

F-Term (11)：

2G042AA01 ,  2G042BC11 ,  2G042BC13 ,  2G042CB03 ,  2G042DA08 ,  2G042FA11 ,  2G042FB05 ,  2G054AA02 ,  2G054CA10 ,  2G054CE01 ,  2G054EA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 球状シリカ系メソ多孔体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-322778   Applicant：株式会社豊田中央研究所
• 液晶分散型簡易イオン選択性電極センサならびにそれを用いた素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-352192   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 森内隆代, 西村弘