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J-GLOBAL ID:200903013487146986

SWNT可飽和吸収光学材料の作製方法、パルスレーザー装置、全光型光スイッチ装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 重信 和男 ,  清水 英雄 ,  高木 祐一 ,  中野 佳直
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005283996
Publication number (International publication number):2007094065
Application date: Sep. 29, 2005
Publication date: Apr. 12, 2007
Summary:
【課題】 単層カーボンナノチューブの可飽和吸収光学特性を安定に発現するための透明プラスチック材料の製造方法ならびにそれを利用したレーザーおよび光スイッチ装置を提供すること。【解決手段】 波長1.55 μm帯で透明なプラスチック材料に単層カーボンナノチューブを均一に分散させることにより、低損失かつ光耐損傷性に優れた可飽和吸収光学材料が実現できる。さらに本材料を導波路構造にし任意の厚みに高精度に光学研磨することにより、超短光パルスレーザーや超高速光スイッチなどの各種光デバイスへの幅広い応用が可能となる。【選択図】 図4
Claim (excerpt):
単層カーボンナノチューブ(SWNT)が有する光の可飽和吸収特性を安定に発現させるための光学材料作製方法において、溶剤としてクロロベンゼン(CLB)もしくはテトラヒドロフラン(THF)を用いることにより、該SWNTを透明性プラスチック材料に均一に分散させることを特徴とするSWNT可飽和吸収光学材料の作製方法。
IPC (1):
G02F 1/361
FI (1):
G02F1/361
F-Term (5):
2K002AB27 ,  2K002BA01 ,  2K002CA05 ,  2K002HA13 ,  2K002HA22
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 光学素子およびその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2001-320383   Applicant:独立行政法人産業技術総合研究所, 富士ゼロックス株式会社
Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent:
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