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J-GLOBAL ID：200903013573782232

酸化物超電導体およびその製造方法

Inventor： 小早志 秀一 ,  長谷山 秀悦 ,  佐藤 守
Applicant, Patent owner： 同和鉱業株式会社
Agent (1)： 阿仁屋 節雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997161242
Publication number (International publication number)：1999011943
Application date： Jun. 18, 1997
Publication date： Jan. 19, 1999
Summary：

【要約】【課題】高磁場下においても高い臨界電流密度を示す酸化物超電導体およびその製造する方法を提供すること。【解決手段】RE化合物(REはY,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luから選ばれる1種又は2種以上の希土類元素)、Ba化合物及びそのCu化合物を含む原料混合体に、少なくとも該原料混合体の融点より高い温度領域における焼成工程を含む処理を施してREーBaーCuーO系酸化物超電導体を製造する酸化物超電導体の製造方法において、Mg,Al,Si,Ca,Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Zn,Sr,Zr,Nb,Mo,Tc,In,Sn,Sb,Te,Cs,La,Ce,Pr,Nd,Hf,Ta,W,Bi,の何れか1種ないし2種以上の元素を0.05wt%〜1wt%添加することで、高磁場下においても高い臨界電流密度を示す酸化物超電導体を製造することを可能にした。

Claim (excerpt)：

REBa2 Cu3 O7-X 相(REはY,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luから選ばれる1種又は2種以上の希土類元素)中にRE2 BaCuO5 相が微細に分散した酸化物超電導体において、Mg,Al,Si,Ca,Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Zn,Sr,Zr,Nb,Mo,Tc,In,Sn,Sb,Tc,Cs,La,Ce,Pr,Nd,Hf,Ta,W,Biの何れか1種ないし2種以上の元素が0.05wt%〜1wt%含まれることを特徴とする酸化物超電導体。

IPC (4)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C04B 35/45 ZAA ,  H01L 39/00 ZAA

FI (4)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  H01L 39/00 ZAA S ,  C04B 35/00 ZAA K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 希土類元素を含む酸化物超電導材料およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-143670   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 特開平1-212268