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J-GLOBAL ID：200903013623721574

半導体露光装置及び露光方法

Inventor： 小川 透
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993302345
Publication number (International publication number)：1995130648
Application date： Nov. 08, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】露光操作毎の積算露光量のばらつきだけでなく、1回の露光操作内においてもレジストの各部における積算露光量の相違を最小にすることができる半導体露光装置を提供する。【構成】半導体露光装置は、レーザ光源10、このレーザ光源10から射出された光が入射されそしてこの入射光の第2高調波に基づいた波長を有する光を射出する第2高調波発生装置20、及び共振器長制御装置30を具備し、第2高調波発生装置20は非線形光学結晶素子及び光共振器から成り、この光共振器の共振器長を共振器長制御装置30にて変化させることによって、第2高調波発生装置20から射出される光の強度を制御する。

Claim (excerpt)：

レーザ光源、該レーザ光源から射出された光が入射されそして該入射光の第2高調波に基づいた波長を有する光を射出する第2高調波発生装置、及び共振器長制御装置を具備した半導体露光装置であって、該第2高調波発生装置は非線形光学結晶素子及び光共振器から成り、該光共振器の共振器長を共振器長制御装置にて変化させることによって、第2高調波発生装置から射出される光の強度を制御することを特徴とする半導体露光装置。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 505 ,  H01S 3/08 ,  H01S 3/109

FI (4)：

H01L 21/30 515 B ,  H01L 21/30 515 D ,  H01L 21/30 516 D ,  H01S 3/08 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 紫外線露光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-153467   Applicant：日本電気株式会社
• レーザ光発生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-078753   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭60-169136
  
• 特開昭63-192232
  
• 特開昭60-169136
  
• 特開昭63-192232