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J-GLOBAL ID：200903013668293360

プラズマ発生装置およびそれを用いたエッチング方法

Inventor： 林 茂則 ,  寺本 聡 ,  伊藤 健二 ,  山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994017014
Publication number (International publication number)：1995211491
Application date： Jan. 17, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】5〜150Torrの圧力において微小な領域をエッチングできる装置と方法を提供するものである。【構成】5〜150Torrの圧力において希ガスを主体とするガスをグロー放電せしめ、該放電中にハロゲン化物を添加することにより該ハロゲン系元素を活性化せしめ、該ラジカルを用いてシリコン等の固体を化学的にエッチングする。そのとき、放電に磁場を作用させて電子およびイオンを基板表面に引出し、それによって基板表面近傍のラジカル密度を高め、エッチング速度を高める。

Claim (excerpt)：

導電体で構成された電極を同心円筒状に配し、該電極の隙間に円筒状絶縁体を同心円となるようにまた、外側電極に接するように挿入し、該絶縁体と中心電極の隙間に希ガスを主体とする気体を5〜150Torrの圧力で送流状態に保持し、前記電極間に交流電界を印加して前記希ガスを主体とする気体を電離することにより前記絶縁体と中心電極の隙間にプラズマを生ぜせしめるプラズマ発生装置において前記同心円筒の軸の延長線上に磁石を配置したことを特徴とするプラズマ発生装置。

IPC (4)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01J 37/305 ,  H01L 21/3065

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 大気圧放電方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-097270   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平4-242924
  
• エッチング装置及びエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-018950   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所