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J-GLOBAL ID：200903013706147110
半導体薄膜の結晶化方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996226166
Publication number (International publication number)：1998055979
Application date： Aug. 09, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】 線状のエキシマレーザビームのスキャン照射によりアモルファスシリコン薄膜を多結晶化してなる多結晶シリコン薄膜の結晶品質をより一層均一化する。【解決手段】 エキシマレーザビームの焦点位置をアモルファスシリコン薄膜の表面から上方に2mmずらした位置とする。すると、焦点位置をアモルファスシリコン薄膜の表面とした場合と比較して、ビーム幅方向の山型のビーム強度分布がビーム幅方向に広がり、ビーム幅方向中央付近の高温領域の両側に存在する低温領域の幅がかなり広くなる。そして、スキャン照射すると、一方側の幅広の低温領域が常に先行することになる。このため、アモルファスシリコン薄膜のある線状の領域は、まずこの先行する幅広の低温領域によって微結晶化され、次いでそれに続く高温領域によって結晶化されることになる。
Claim (excerpt)：
線状のレーザビームをビーム幅方向にオーバーラップさせながらスキャン照射することにより、半導体薄膜を結晶化する半導体薄膜の結晶化方法において、前記レーザビームをその焦点位置を前記半導体薄膜の表面からずらして照射することを特徴とする半導体薄膜の結晶化方法。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 21/268 B
, H01L 21/268 Z
, H01L 21/20
Cited by examiner (6)
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