多結晶半導体膜の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鳥居洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994214717
Publication number (International publication number)：1996083765
Application date： Sep. 08, 1994
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：

【要約】【目的】非晶質半導体膜を溶融・結晶化して多結晶半導体膜を得る処理において、その前処理である脱ガス処理、或いは結晶化に際して結晶粒径を大きくするための処理を同時進行で行うことにより、プロセス時間を短縮化しつつ結晶品質の向上を図ることを目的とする。【構成】単一光源から出射されるエネルギービーム15を、ミラー10の高反射率部10aにて反射させることにより、非晶質シリコン膜3を溶融するための第1ビーム15aを生成してこれを非晶質シリコン膜3に照射するとともに、高反射率部10aの両側に形成した低反射率部10bにて反射させることにより、加熱用の第2ビーム15bを生成し、前記第1ビーム15aの照射位置に対してビーム走査方向の先行位置に照射される第2ビーム15b′により脱ガスを行い、追従位置に照射される第2ビーム15b′′にて結晶粒径を大きくする処理を行う。

Claim (excerpt)：

非晶質半導体膜に結晶化のための第1のエネルギービームを照射するのに同時進行して当該第1のエネルギービーム照射位置に対してビーム走査方向に先行する位置に加熱用の第2のエネルギービームを照射することを特徴とする多結晶半導体膜の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平2-226718
レーザアニール装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-059585 Applicant：株式会社ジーティシー
液晶表示装置の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-212184 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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