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J-GLOBAL ID：200903013733824760

パワー半導体素子とこれを用いた半導体回路

Inventor：
坂本 光造

About 坂本 光造


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 井上 学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006084444
Publication number (International publication number)：2007215389
Application date： Mar. 27, 2006
Publication date： Aug. 23, 2007
Summary：
【課題】寄生ダイオードが順バイアスされずにスイッチングし還流モード動作するパワー半導体素子と低損失で高信頼に駆動するのに好適な小型で低コストな半導体回路を提供する。【解決手段】パワー半導体素子の逆方向動作時のしきい電圧をゲート・ドレイン間ダイオードの順方向電圧より低くし、誘導性負荷を駆動するときの還流モードではドレイン端子に流れ込む全電流のうち、主成分が寄生ダイオード電流ではなくFET電流となるようにした。また、ゲート・ドレイン間のダイオードが順バイアスされにくく、また過電圧保護のためにゲートパッド直下にパワーFETのゲート・ドレイン端子間に接続されるショットキーダイオードを設けた。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
ドレイン端子と、ソース端子と、前記ドレイン端子と前記ソース端子との間に流れるFET電流を制御するゲート端子とを有し、前記ドレイン端子をカソードとする寄生ダイオードが存在するパワーFETと、 該パワーFETのゲート・ソース間電圧を制御する制御回路と、 前記パワーFETから電流を供給する誘導性素子を含む負荷を有し、 前記制御回路により前記パワーFETがオフ駆動状態のときに前記パワー半導体FETのドレイン・ソース間に逆方向電圧が印加され、この時、前記寄生ダイオードの電流成分よりも前記ソース端子から前記ドレイン端子に流れるFET電流の成分の方が大きいことを特徴する半導体回路。
IPC (2)：
H02M 1/08 ,  H02M 7/538
FI (2)：
H02M1/08 A ,  H02M7/5387 Z
F-Term (23)：
5H007AA03 ,  5H007AA17 ,  5H007BB06 ,  5H007CA02 ,  5H007CB04 ,  5H007CB05 ,  5H007CC07 ,  5H007CC23 ,  5H007DC08 ,  5H007EA02 ,  5H007HA04 ,  5H740AA05 ,  5H740BA12 ,  5H740BB05 ,  5H740BB09 ,  5H740BB10 ,  5H740BC06 ,  5H740KK01 ,  5H740MM05 ,  5H740MM08 ,  5H740NN17 ,  5H740PP02 ,  5H740PP03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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